サムスンの最新NVMe SSD、990PROは、V-NANDと自社製コントローラの採用で、性能と信頼性が高次元に引き上げられています。詳しくみていきます。
SAMSUNG 990PRO (MZ-V9P2T0B-IT)の詳細
サムスン製SSD 990PROは、同社の高速NVMe SSDシリーズの最新モデルです。PCIe 4.0インターフェイスをサポートしており、シーケンシャルリード速度は最大7,450MB/s、ライト速度は最大6,900MB/sを実現しています。
キャッシュメモリにはLPDDR4 DRAMを1GB搭載。フラッシュメモリの管理効率を高めています。高度な暗号化機能も備えており、データの安全性も高い水準を確保しているのが強みです。
V-NANDテクノロジー
従来の970シリーズから大きく進化したのが、V-NANDテクノロジーの採用です。第6世代V-NANDは176層構造を採用しており、1セルあたりの記憶量が飛躍的に向上しています。これにより、高密度かつ高速なデータ記録が可能になっています。
V-NANDテクノロジーについて
V-NANDは、サムスン電子が開発した革新的なNANDフラッシュメモリの技術です。従来の平面構造ではなく、垂直方向にチャネル・制御ゲートを形成することで、高集積化と大容量化を実現したものです。
V-NANDの大きな特徴は、セルアレイを3次元的に積層することで、チップあたりの記憶セル数を飛躍的に増加できる点です。初代の24層積層から始まり、現在は100層以上の積層が可能となっています。チップサイズの拡大なく、記憶量を増やせるため、高密度化が図れます。
また、3次元構造だからこそ実現できる新しいアーキテクチャを採用することで、より高速なデータ転送も可能となりました。チャネル・制御ゲートの配線長が短くなることで、配線抵抗・寄生容量が低減し、高速駆動が実現しています。
V-NAND採用により、Samsung SSDは一気に性能が向上しました。大容量化と高速化が両立できるようになったことで、コンシューマー向けからデータセンター向けまで、幅広い用途で高いシェアを獲得するに至りました。
発熱削減もヒートシンク必要
SSDコントローラも自社設計のElpisが新たに搭載され、読み書き性能を最大限に引き出しています。動作電圧も0.9Vまで下げることで、発熱と消費電力の削減を実現しています。
公式ホームページの情報
サムソンの公式ページの本商品の情報
SAMSUNG 990PRO (MZ-V9P2T0B-IT)の感想
サムスンの990PROは、最新のPCIe 4.0対応NVMe SSDとして、圧倒的な性能を発揮する驚異のM.2 SSDだと思います。最大7,450MB/sの転送速度は他の追随を許さないスピードで、このSSDの真価が目に見える形で表れていると感じます。
新世代V-NANDフラッシュメモリーと自社開発の高速コントローラーを採用したことで、シーケンシャルアクセス、ランダムアクセスともに飛躍的な速度を実現しています。大容量ファイルのコピーや転送、ゲームのロード時間の短縮など、高速ストレージが求められる場面で、その真価が発揮されるはずです。
優れたパフォーマンスだけでなく、信頼性の高さも同様に感心させられます。サムスンの堅牢なSSD設計の伝統が受け継がれ、長時間のフル稼働でも安定した性能を発揮できる仕組みが備わっています。パフォーマンスとともに耐久性も高い水準にあると実感できます。
長時間の高負荷でも、サーマルスロットリングによる低下を防ぐ構造になっているのはうれしいポイントだと思います。
購入について
在庫は豊富なので、どこでも購入できる状況です。
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